לגבי הגנה בצד ה-DC של המערכת הפוטו-וולטאית, סעיף 690.99 של סעיף 690-מערכות פוטו-וולטאיות של NASI/NFPA 70 National Electrical Code (Overcurrent) הובהר שמוליכים וציוד של מעגל תת-מערכת פוטו-וולטאית, מעגל פלט פוטו-וולטאי, מעגל פלט סוללה, מעגל פלט אחסון של מעגל מהפך עם מעגל פלט 40 וגוננו בהתאם לסעיף 20 (הערה: סעיף 240 על הגנה על מוליכים וציוד); "התקנות חשמל של בניינים -חלק 7-712:דרישות למתקנים ימיים מיוחדים" משמש כחלק מה-IEC60364-7-712:2002 מיקומים - מערכות אספקת חשמל סולאריות פוטו-וולטאיות (PV) מערכות אספקת חשמל GB/T 122009s. 7-712: מערכת אספקת חשמל PV סולארית עבור התקנות או מקומות מיוחדים (יושמה ב-1 בפברואר 2010). למרות שמוצע בהגנה על עומס יתר בצד DC שכאשר זרם הנשיאה הרציף של הכבל שווה או גדול מפי 1.25 מה-ISC STC בכל מקום (ISC STC הוא זרם הקצר בתנאי בדיקה סטנדרטיים), ניתן להתעלם מהגנת עומס יתר עבור מחרוזת PV וכבלי מערך PV (אלו הם הדרישות הסטנדרטיות 712.423 בלבד, אבל הם גם דרישות התקן לעיל). הגנה, ויש לקחת בחשבון גם את מפרטי היצרן להגנה על מודול PV. כמו כן נאמר בהגדרה של תיבת חיבור מערך PV שניתן להשתמש בנתיך להגנה במידת הצורך. GB/T 16895.32-2008 אינו הוראות נוקשות לקבוע את הסיבה להגנה על מכשירים חשמליים, מצד אחד, התקן מספק רק דרישות מינימום, כדי להבטיח יישום; אבל סיבה עיקרית נוספת היא שעדיין מפתחים תקנים.
תקן הנתיכים IEC 60269-6:2010 להגנה על מערכות פוטו-וולטאיות סולאריות אושר על ידי ועדת חברת החשמל באוקטובר השנה, ויפורסם בינואר או בפברואר 2011. התקן הלאומי גם יעקוב אחר הפיתוח. בשנת 2005 או קודם לכן, UL קבעה את המפרט הטכני עבור הנתיכים-המגנים על מחרוזות מודול תאי PV ומערכי PV: נושא 2529 מתווה חקירה עבור נתיכים במתח נמוך- FOR PHOTOVOLTAIC SYSTEMS. דרישות הסמכת הבטיחות של מדינות החברות בחברת החשמל, כולל סין, עשויות לקחת בחשבון את הנושא של הגנת זרם יתר בצד DC כפי שעושה NASI/NFPA 70. למעשה, רוב המערכות הפוטו-וולטאיות הקיימות בתעשייה כבר תוכננו והותקנו עם נתיכים. האיור הבא, נתיכים של הולי PV HC10AR 1000V DC ו-HC10N 600V DC נמצאים בשימוש נרחב בארונות חיבור PV PV במצב נתיך A, PV מוגן NH00 1000V 100A ו-NH1 1000V DC ה-200A משמש גם בחיבור של הנתיך PV.
התקן הצפון אמריקאי NASI/NFPA 70 קבע בבירור שכל מכשירי ההגנה בצד DC דורשים מפרטי DC. עבור הפתיל של הגנה על סדרת תאים פוטו-וולטאיים, כלומר נתיך A באיור, נדרש הזרם הנקוב In גדול או שווה ל-1.56 ISC (ISC הוא זרם הקצר-של סדרת PV). המתח הנקוב אינו פחות ממתח המעגל הפתוח VOC בטמפרטורה המקומית הנמוכה ביותר של סדרת התאים הפוטו-וולטאיים, ומקדם התיקון מסופק לחישוב טמפרטורת הפעולה בפועל VOC; בעוד שהנתיך B, המגן על מערך ה-PV, דורש זרם גבול של 1.25 I פחות או שווה ל-In< 1.56 ISC, מפרט החוט במיקום זה חייב להיות פחות מ-1.56 ISC, ולכן ראוי לקחת את הזרם המדורג המרבי במפרט הסדרתי מתחת לערך המחושב של 1.56 ISC.
זרם החיבור המוסכם של נתיכים פוטו-וולטאיים במערכת חברת החשמל הוא 1.45 אינץ'. זרם החיבור המוסכם של נתיכים פוטו-וולטאיים התואם למפרט הטכני של US Subject 2529 הוא 1.35 אינץ'. במילים אחרות, כושר הנשיאה בפועל של נתיכים פוטו-וולטאיים במערכת חברת החשמל הוא בערך פי 1.1-1.2 מזה של נתיך US Subject 2529. לכן, בהתחשב בהבדל של כושר הנשיאה בפועל, יש לשנות את הנתיך הפוטו-וולטאי של מערכת חברת החשמל בנתיך A באיור ל-In Greater מ- או שווה ל-1.42Is על-ידי התייחסות לנוסחה לעיל In Greater או שווה ל-1.56 ISC. אז חשבו את ערך מפרט הנתיך In לפי הנוסחה המתוקנת, וקחו את הנתיך שרמת הזרם שלו גדולה מהערך המחושב והקרוב ביותר לערך המחושב. בנוסף, מפרט החוט לא צריך להיות פחות מ-IS, רצוי גדול מ-1.25IS. באופן דומה, נתיך ה-PV של מערכת IEC במיקום נתיך B באיור צריך להתייחס לנוסחה לעיל. 1.56 ISC השתנה ל-IN< 1.42IIs, קח את הזרם המדורג המקסימלי במפרט המסודר מתחת לערך החישוב הנוכחי של 1.42ISC. כאשר הטמפרטורה סביב הנתיך גבוהה יותר, כגון גבוהה מ-45 או כאשר מותקנים מספר נתיכים קרוב לקופסת החיבורים, יש להפחית את הקיבולת, ולהפחית את הקיבולת כפי שהציע יצרן הנתיכים.
כל האמור לעיל, חשוב מאוד במערך pv הפוטו-וולטאי להתקין נתיך dc, בחירת דירוג מתח ה-pv של הנתיך לשקול לוחות פוטו-וולטאיים עשויים להשתמש בטמפרטורה הנמוכה ביותר של מתח המעגל הפתוח Voc, יש לקחת בחשבון זרם נקוב כאשר הטמפרטורה הגבוהה ביותר של פאנלים פוטו-וולטאיים לשימוש בזרם קצר חשמלי היא, והשפעת עומס מחזורי לטווח ארוך של עבודה תחת חיי עבודה ארוכים {0,} כדי להשיג הגנה.